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IRF7769L2TRPBF中文资料

IRF7769L2TRPBF图片

IRF7769L2TRPBF外观图

  • 大小:6KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:375A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.5 毫欧 @ 74A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:300nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:11560pF @ 25V
  • 功率 - 最大:3.3W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等距 L8
  • 供应商设备封装:DIRECTFET L8
  • 包装:带卷 (TR)

IRF7769L2TRPBF供应商

更新时间:2022-12-31 04:22:56
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